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                                                納微半導體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片

                                                2021-11-08
                                                來源:納微半導體

                                                增加GaNSense?技術,全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護,為40億美元的手機充電器和消費市場帶來最高效率和可靠性

                                                11月8日,北京--氮化鎵(GaN)功率芯片的行業領導者納微半導體(Navitas Semiconductor)(納斯達克股票代碼:NVTS)宣布推出新一代采用GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術集成了關鍵、實時、智能的傳感和保護電路,進一步提高了納微半導體在功率半導體行業領先的可靠性和穩健性,同時增加了納微氮化鎵功率芯片技術的節能和快充優勢。

                                                氮化鎵(GaN)是下一代半導體材料,氮化鎵器件的開關速度比傳統的硅器件快20倍,在尺寸和重量減半的情況下,可實現高達3倍的功率和3倍的充電速度。納微半導體的GaNFast?氮化鎵功率芯片集成了氮化鎵器件和驅動以及保護和控制功能,提供簡單、小型、快速和高效的性能表現。

                                                GaNSense技術集成了對系統參數的實時、準確和快速感應,包括電流和溫度的感知。這項技術實現了正在申請專利的無損耗電流感應能力。與前幾代產品相比,GaNSense 技術可額外提高10%的節能效果,并能夠進一步減少外部元件數量,縮小系統的尺寸。此外,如果氮化鎵功率芯片識別到有潛在的系統危險,該芯片將迅速過渡到逐個周期的關斷狀態,以保護器件和周圍系統。GaNSense技術還集成了智能待機降低功耗功能,在氮化鎵功率芯片處于空閑模式時,自動降低待機功耗,有助于進一步降低功耗。這對越來越多積極追求環保的客戶來說尤為重要。

                                                憑借業界最嚴格的電流測量精度和GaNFast響應時間,GaNSense技術縮短50%的危險時間,危險的過電流峰值降低50%。GaNFast氮化鎵功率芯片單片集成提供了可靠的、無故障的操作,沒有 "振鈴",從而提高了系統可靠性。

                                                納微半導體聯合創始人兼首席運營官/首席技術官Dan Kinzer表示:“從檢測到保護只需30納秒,GaNSense技術比分立式的氮化鎵功率芯片的實現方案快 600%。納微半導體下一代采用GaNSense技術的GaNFast氮化鎵功率芯片產品,對潛在的系統故障模式提供了高度準確和有效的防護。再加上對高達800V的瞬態電壓的免疫力以及嚴格的柵極波形控制和電壓調節,這些功能只有通過我們專有的工藝設計套件才能實現,重新定義了功率半導體中可靠性、堅固性和性能的新標準?!?/p>

                                                采用 GaNSense 技術的新一代納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片有十個型號,他們都集成了氮化鎵功率器件、氮化鎵驅動、控制和保護的核心技術,所有產品的額定電壓為650V/800V,具有2kV ESD保護。新的GaNFast功率芯片的RDS(ON)范圍為120至450毫歐,采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封裝,具有GaNSense保護電路和無損電流感應。作為納微第三代氮化鎵功率芯片,針對現代電源轉換拓撲結構進行了優化,包括高頻準諧振反激式(HFQR)、有源鉗位反激式(ACF)和PFC升壓,這些都是移動和消費市場內流行的提供最快、最高效和最小的充電器和適配器的技術方法。

                                                目標市場包括智能手機和筆記本電腦的快充充電器,估計每年有20億美元的氮化鎵市場機會,以及每年20億美元的消費市場機會,包括一體機、電視、家庭網絡和自動化設備。GaNSense技術已被用于部分一線消費電子品牌的氮化鎵充電器上。

                                                到目前為止,已經有超過3000萬顆納微GaNFast氮化鎵功率芯片出貨,在現場測試實現了超過1160億個設備小時,并且沒有任何關于GaN現場故障的報告。與傳統的硅功率芯片相比,每顆出貨的GaNFast氮化鎵功率芯片可以減少碳足跡 4-10 倍,可節省4千克的二氧化碳排放。

                                                采用GaNSense技術的新一代納微GaNFast功率芯片將在以下活動中公開展示。

                                                · 11月8日: WiPDA 2021演講(線上),演講人:納微半導體首席運營官/首席技術官和聯合創始人,Dan Kinzer

                                                · 11月14日: 中國電源學會第二十四屆學術年會的納微半導體衛星會議(上海,線下),演講人 納微半導體應用工程總監,黃秀成博士

                                                · 11月18日: PSMA電力技術路線圖演講(線上),演講人:納微半導體首席運營官/首席技術官和聯合創始人,Dan Kinzer

                                                采用GaNSense技術的新一代GaNFast氮化鎵功率芯片已開始批量生產,并可立即供貨。新的GaNSense技術的全部技術細節,包括數據表、鑒定數據、應用說明和樣品,可在簽署保密協議后提供給客戶合作伙伴。

                                                關于納微半導體

                                                納微半導體(納斯達克股票代碼: NVTS)成立于2014年,是氮化鎵功率芯片的行業領導者。氮化鎵功率芯片將氮化鎵電源與驅動、控制和保護集成在一起,為移動設備、消費產品、企業、電動汽車和新能源市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。納微半導體擁有130多項專利已經頒發或正在申請中,超過3000萬個GaNFast功率芯片已經發貨,沒有任何關于納微氮化鎵功率芯片的現場故障報告。2021年10月20日,納微半導體敲響了納斯達克的開市鐘,并開始在納斯達克交易,企業價值超過10億美元,總融資額超過3.2億美元。




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